無塵車間規(guī)劃選用材料及特征

      1、無塵車間是采納哪些方法可以減少產(chǎn)塵量了？
      a、選用的原料：棉質(zhì)產(chǎn)塵量最大，以下依次為棉、的確良、去靜電純滌綸、尼龍。
      b、樣式：大掛式發(fā)塵量最大，上下分裝型次之，全罩型最少；
      c、車間內(nèi)的活動：動作時的產(chǎn)塵量一般是停止時刻3-7倍；
      d、清潔：用溶劑洗刷的產(chǎn)塵量降至用一般水清潔的五分之一。
      2、保濕性能好，強度高，隔熱保溫，芯材導(dǎo)熱系數(shù)： λ<=0.041w/mk。強度高：可作天花圍護規(guī)劃板材承重，抗彎抗壓，一般潔凈室比照少用梁柱。
      3、施工便當(dāng)，重量輕：10-14千克/平方米，相當(dāng)于磚墻的1/30 ，凈化廠房隔墻、頂板一般多選用50mm厚的夾板；并且彩鋼板設(shè)備靈敏便當(dāng)：施工周期短，車間可以依據(jù)出產(chǎn)需要進行調(diào)整，運用彩鋼板墻體，車間改造施工愈加便當(dāng)。
      4、送風(fēng)過濾設(shè)備：高效送風(fēng)口選用不銹鋼結(jié)構(gòu)，漂亮清潔，沖孔網(wǎng)板用烤漆鋁板，不生銹不粘塵，易清潔；　送回風(fēng)管道用熱渡鋅板制成，貼凈化保溫棉；
      5、高效過濾器設(shè)備前，有必要對潔凈室進行悉數(shù)清掃、擦凈，凈化空調(diào)系統(tǒng)內(nèi)部如有積塵，應(yīng)再次清掃、擦凈，到達清潔需要。如在技術(shù)夾層或吊頂內(nèi)設(shè)備高效過濾器，則技術(shù)層或吊頂內(nèi)也應(yīng)進行悉數(shù)清掃、擦凈。

      電子無塵車間解決方案
      LED/液晶/線路板制造是一種高度精密化的工業(yè)，一些細微的環(huán)境或操作變動都有可能影響其制造成品的質(zhì)量，因此制造過程均要求在嚴格控制下的潔凈室中操作。潔凈室是一個采用層層過濾以去除空氣中微粒存在，并控制室內(nèi)溫度與濕度于恒定狀態(tài)的密閉空間。
      LED/液晶/線路板芯片制備到器件封裝，對生產(chǎn)環(huán)境空氣品質(zhì)都有較高的要求，空氣品質(zhì)關(guān)系著成品率和產(chǎn)品品質(zhì)；在眾多的工藝環(huán)節(jié)中，哪個工藝過程是防止污染的關(guān)鍵？潔凈度已經(jīng)達標，為什么產(chǎn)品上仍有污染？相同的工藝和環(huán)境參數(shù)，為什么我們的能耗比別人高？怎樣的潔凈室規(guī)劃設(shè)計方案是最節(jié)能的、最符合工藝 要求的，投資省、運行費用低、生產(chǎn)效率高？
      通過對LED/液晶/線路板客戶生產(chǎn)環(huán)境的深入研究和工程經(jīng)驗積累，我們清楚了解其生產(chǎn)過程環(huán)境控制的關(guān)鍵;節(jié)能是我們系統(tǒng)方案優(yōu)先考慮的重點；我們最擅長的就是給予客戶符合其工藝要求和管理模式、同時應(yīng)用了最新節(jié)能技術(shù)的環(huán)境解決方案；我們可以提供從潔凈室整廠規(guī)劃設(shè)計——人流物流凈化方案、潔凈空調(diào)系統(tǒng)、潔凈裝飾系統(tǒng)；整廠節(jié)能改造、水電、超純氣體管道、潔凈室監(jiān)測、維護系統(tǒng)等全面安裝配套服務(wù)；所有產(chǎn)品和服務(wù)符合Fed 209D, ISO14644, IEST, EN1822等國際標準。

      DRAM芯片潔凈車間簡要

      DRAM（動態(tài)隨機存儲器）在日常生活中還有一個親切稱呼叫內(nèi)存條，利用電容儲存電荷多少來存儲數(shù)據(jù)，需要定時刷新電路克服電容漏電問題，讀寫速 度比SRAM慢，常用于容量大的主存儲器，如計算機、智能手機、服務(wù)器內(nèi)存等。

      DRAM從2D架構(gòu)轉(zhuǎn)向3D架構(gòu)是未來的主要趨勢之一。3D DRAM是將存儲單元（Cell）堆疊至邏輯單元 上方以實現(xiàn)在單位晶圓面積上產(chǎn)出上更多的產(chǎn)量,這里主要通過改變電容設(shè)計實現(xiàn)，從平面電容到深槽電容再到堆疊電容，相較于普通的平面DRAM，3D DRAM可以有效降低 DRAM的單位成本。

      其他發(fā)展路徑：采用鐵電材料的設(shè)計電容（ferro capacitor）以延長DRAM位元格儲存電荷的時間延長。 具有改善DRAM的資料保存時間（retention time），減小刷新的負擔(dān)、快速開啟或關(guān)閉低功耗模式、實 現(xiàn)更低的備用功耗，以及進一步推動DRAM的規(guī)?；葍?yōu)點。使用低漏電流沉積的薄膜晶體管（thin-film transistor），例如氧化銦鎵鋅，來取代DRAM位元格內(nèi)的硅基晶體管，以大幅降低儲存單元的面積。

      詳細設(shè)計要點請聯(lián)系合潔科技半導(dǎo)體車間建設(shè)工程師

      潔凈車間工程示例如下：